電漿輔助輔助反應磁控濺鍍：IBS 的替代方案
2025 年 06 月 17 日 | 光學鍍膜、電漿輔助輔助濺鍍、光學薄膜、薄膜製造 | 應用
電漿輔助體輔助反應式磁控濺鍍技術（P.A.R.M.S.）可製作出光學鍍膜，其性能可媲美離子束濺鍍技術，但成本更低，並且在許多方面優於蒸鍍與射頻濺鍍等傳統方法。
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反應式磁控濺鍍具有高均勻性，可在大面積基板上進行沉積，且幾何結構適合光學鍍膜的大量量產操作，應用波段涵蓋紫外（UV）到近紅外（NIR）。磁控濺鍍設備相較於離子束濺鍍，其平均故障間隔時間（MTBM）較長，且耗材數量較少。反應式濺鍍可使用高純度金屬靶材，以超過30奈米/分鐘的速率沉積氧化物與氮化物材料，大幅縮短製程週期。金屬靶材在壽命、偏壓控制、精煉及熱管理等方面也具有明顯優勢。
若在磁控濺鍍過程中加入大電流離子源，能有效降低膜層缺陷密度並提升折射率穩定性，同時可讓靶材維持純金屬濺鍍模式。此外，可同時運作多種磁控濺鍍方式（如射頻、交流、直流）以精準控制元素比例與摻雜濃度，製作具光學活性的材料。
光學終點監控技術的進步，也進一步提升了多層膜結構的沉積精度，使實際鍍膜的光譜特性更貼近理論設計，即便是含有數百層的複雜結構也能精準實現。整體而言，電漿輔助體輔助反應式磁控濺鍍技術仍是目前製作光學濾光片、抗反射膜（AR膜）、高反射鍍膜（HR膜）等光學薄膜最穩定且可靠的方法之一。
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