Picosun ALD原子層薄膜沉積
R-200 高級型
PICOSUN™ R-200高級ALD系統適用於IC元件、MEMS元件、顯示器、LED、雷射及鏡片、光學器件和醫療植入器械等半導體應用物件的研發。
詳細介紹


頂級ALD系統滿足應用需求

PICOSUN™ R-200高級ALD系統是全球市場上的高級ALD研究工具引領者,擁有上百客戶。它已成為創新型公司和研究機構的首選。該系統設計靈活,確保沉積ALD薄膜的高品質,同時超級靈活的系統配置能滿足未來各種需求和應用。
經專利註冊的熱腔壁設計、完全獨立的前驅物管線和顯示使得無顆粒沉積廣泛應用於晶片、3D物件和所有奈米尺度的材料。即使在最具挑戰性的多孔材料、超高深寬比和奈米顆粒表面沉積,系統都能實現極好的均勻性,這些都歸功於我們的專利技術Picoflow™   該系統配備功能強大和易於更換的液態、氣態和固態前驅物。同時,具備高效率和遠端電漿專利技術,可以沉積金屬而無短路和電漿損傷風險。系統可整合手套箱、UHV系統、手動或半自動裝載器集群系統、粉末反應腔、卷對卷反應腔和各種即時分析系統,讓您的研究變得高效靈活,取得良好成果,不管是當下或未來研究領域發生何種變化都能勝任!

技術特徵

  • 典型基板尺寸和類型 
    50到200mm單片,156 mm x 156 mm太陽能矽晶片,3D物件,粉末和顆粒小批量,多孔、穿孔和高深寬比(最高達1:2500)基板
  • 製程溫度
    50到500°C,電漿450°C(650 °C,需使用定製加熱盤)
  • 典型製程
    Al2O3、TiO2、SiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、ZrO2、AlNTiN和Pt或Ir等金屬
  • 基板裝載
    用氣動升降機手動裝載,帶磁機械臂的裝載鎖定室,用操作機器人進行半自動裝載,用集群工具進行盒對盒式裝載
  • 前驅物
    液態、固態、氣態、臭氧和電漿,6根獨立前驅物管線(如選用電漿,共7根獨立前驅物管線),最多載入12個前驅物。
  • 選配
    集群工具、PICOFLOW™擴散增強器、卷對卷反應腔、RGA、UHV相容、N2產生器、尾氣處理器、定製設計及手套箱整合(用於惰性氣體裝載)。