技術文章｜渦電流 Eddy Current
用渦電流做品質保證：非接觸、全片高密度的薄膜電性量測
渦電流量測利用導電率（conductivity）的局部差異，快速評估薄膜厚度、方塊電阻（Sheet Resistance）、電阻率、材料均勻性等品質特徵。 透過高頻寬量測（10 kHz–100 MHz），可依材料與目標深度調整靈敏度與穿透深度，搭配友善軟體即時輸出結果，特別適合 QA、R&D 與製程監控。
為什麼很多人從 4PP 轉向渦電流？
製程越先進，越需要更多量測點與更完整的晶圓覆蓋（包含邊緣），同時又不希望探針接觸帶來污染或刮傷風險。
渦電流以非接觸方式快速掃描成像，能更有效支援缺陷偵測、均勻性分析與良率管理。
能測什麼？渦電流常見檢測項目
一套方法，對應多種 QA/製程監控需求：電性、厚度、均勻性、封裝層。
Rs
方塊電阻（Sheet Resistance）
快速 mapping 均勻性與局部異常，支援晶圓/薄膜/導電層。
t
金屬層厚度
以導電特性變化推估膜厚，利於製程窗口與 QA 控制。
ρ
電阻率（Resistivity）
針對材料與區域差異做分析，用於材料比較與研發評估。
◎
材料均勻性 / 其他延伸
電性各向異性、距離/塗層厚度、複材（如碳纖）檢測等。
原理怎麼想？一句話先懂
渦電流 = 用電磁感應「隔空」看導電率差異，再把差異轉成可用數據。
想像你把一個「交變磁場」放在導電材料附近，就像在材料表面輕輕推動一圈圈「旋轉的電流」（也就是渦電流）。 材料的導電率、厚度、結構一旦不同，渦電流的強度與分布就會改變，進而讓量測訊號產生差異。
因此渦電流特別適合用來做快速、非接觸的品質檢測：薄膜 Rs、膜厚、均勻性、甚至封裝/埋藏導電層。
量測架構：反射模式 vs 穿透模式（怎麼選？）
雙面穿透（Transmission / Double-side） ▾
雙面穿透式工具可在較大距離下運作，對晶圓高度起伏/位置公差更友善。 大間距特性使其特別適合 robot handling 與整合進製程設備（inline/at-line），並能減少薄/厚晶圓切換時的重新設定時間。
單面反射（Reflection / Frontside / Backside） ▾
反射式通常能做到更小的 spot size（例如毫米級），適合需要高解析度的局部特徵量測。 但也更仰賴精準距離控制，設定上需更謹慎以維持靈敏度與重複性。
成像 vs 4PP：點數決定你「看得到」什麼
高密度資料能抓到小尺度結構與邊緣梯度；少量點位容易漏掉局部異常。
傳統 4PP mapping 多為有限離散點（常見如 49 點），而渦電流成像能在整片晶圓上取得數千到數萬個量測點， 讓你能更完整掌握均勻性與局部結構差異，並且能量測到晶圓邊緣區域，避免「靠外圈插值」造成的資訊缺口。
一張表看懂：4PP vs 渦電流（非接觸）
以下為常見情境對照；實際效果仍取決於樣品、設備與量測設定。
| 項目 | 4 點探針（4PP） | 渦電流（非接觸） |
|---|---|---|
| 量測方式 | 接觸式（探針落點影響） | 非接觸 / 即時 |
| 敏感薄膜風險 | 可能刮傷/污染/造成壓力痕 | 無機械接觸，降低風險 |
| 點位密度 | 有限點位（插值依賴） | 高密度掃描成像（利缺陷/均勻性） |
| 封裝/埋藏層 | 多數情況難以量測 | 可在一定距離下量測封裝導電層 |
| 量產監控 | 常需 test wafer（接觸顧慮） | 可直接量產 wafer（非接觸） |