Picosun ALD原子層薄膜沉積
Morpher P
詳細介紹

PICOSUN® Morpher P 

PICOSUN® Morpher P PEALD(等離子增強原子層沉積)系統旨在顛覆在超越和更多比摩爾技術中的200毫米晶圓產業。它可以為MEMS、感測器、LED、激光器、功率電子、光學和5G元件的要求苛刻的生產提供增強的工藝窗口,並具有領先的工藝質量、可靠性和操作靈活性。

 

 

技術特徵
  • 典型基板尺寸和類型
    200毫米及以下單晶片
    高縱横比樣本(比例1:50)
    基板材料:矽,玻璃,石英,碳化矽,氮化鎵,砷化鎵,鈮酸鋰,鉭酸鋰,磷化銦
  • 製程溫度和能力
    50 - 650°C
    不在背面進行沉積的單晶片處理
  • 典型製程
    通過真空叢集工具進行完全自動載入
    通過Picosun Necto™真空叢集系統進行卡式單晶片載入
    可選的SMIF站點
  • 基板裝載
    通過真空叢集工具進行完全自動載入
    通過Picosun Necto™真空叢集系統進行卡式單晶片載入
    可選的SMIF站點
  • 軟體特點
    獨立的配方編輯器,可在過程運行期間創建和修改配方,具有動態結構(每個配方的可擴展格式)
    統一的界面,使用一個通信協議控制整個叢集(Ethercat)
    固定的循環控制周期,每20分之1毫秒的數據記錄速率,能夠進行多任務處理
    數據記錄器可遠程訪問,所有數據可完全導出
    與工廠主機的SECS/GEM整合
  • 前驅物
    液體,固體,氣體,臭氧
    最多4種等離子氣體
    水平感測器,清潔和補充服務
    7根獨立前驅物管線,最多可載入16個前驅物
 

PICOSUN® Morpher P提供了對晶圓的完全自動處理,以及行業標準的單晶片真空叢集平台。它可以與PICOSUN® Morpher F,批量晶圓工藝模塊,或PICOSUN® Morpher T,熱ALD單晶片工藝模塊結合使用。最先進的專利等離子源使其能夠在不損害高度敏感的基板和/或次層的情況下實現廣泛的工藝庫,而SEMI S2/S8認證確保系統與業界最嚴格的標準相容。

PICOSUN® Morpher P單晶片PEALD系統可以通過SECS/GEM協議與工廠自動化進行整合。我們自有的、符合SEMI標準的PicoOS™操作系統和工藝控制軟體通過一個直觀、用戶友好的HMI(人機界面)控制整個Morpher叢集,實現系統的易用、安全和防故障操作,無論Morpher家族的多少個工藝模塊連接到叢集。通過帶有全分離前驅體管道和進口的專利雙室、熱壁反應器設計,它可以提供最高質量的ALD和PEALD薄膜,具有優異的產量、低顆粒水平和卓越的電氣和光學性能。

緊湊的、符合人體工程學的設計,易於維護且快速,確保最低的系統停機時間和市場上最低的擁有成本。而且作為其獨特之處,PICOSUN® Morpher P可以連接到一個集成的單一VCE和機器人,實現極低的佔地面積,完全自動化的工具。