SI PEALD 電漿增強原子層沉積系統

SENTECH SI PEALD 能在低溫條件下對敏感基材與膜層進行均勻且順形（conformal）的鍍膜。系統可在樣品表面提供高通量的反應性氣體物種，且過程中無 UV 輻射或離子轟擊。

主要特色與優勢

SENTECH SI PEALD 系統採用真正的遠端電漿源，可在 <100 °C 的低溫下對敏感基材與膜層進行均勻且順形的鍍膜。系統於樣品表面提供高通量的反應性氣體物種，過程中無 UV 輻射或離子轟擊。

ALD 沉積技術的特點在於能以原子等級精準控制膜厚，並沉積出順形且均勻的薄膜，在半導體元件中的應用日益重要，例如高介電常數（high-k）介電材料的沉積。ALD 的主要應用包括感測器、光電元件以及二維材料。

透過 AL Real Time Monitor 進行in-situ診斷，可達成單一 ALD 循環的超高解析度監測。其優勢包括：確認 ALD 製程窗口、縮短製程時間、降低總體擁有成本（TCO）。本公司原子層沉積系統亦可選配光譜橢圓偏振儀作為原位診斷工具,具有特定優勢。

定期清潔反應腔對於穩定且可重複的原子層沉積製程至關重要。本公司原子層沉積系統的反應腔可透過升降裝置輕鬆開啟,便於清潔。

原子層沉積系統可作為 SENTECH Cluster Tools 的模組使用,亦可與 SENTECH PECVD 及蝕刻系統整合應用於工業製程。群集型機台另可選配 cassette-to-cassette 自動上下料。

SENTECH ALD 系統可與多家供應商的手套箱系統相容整合。

SENTECH ALD 系統支援熱式與電漿增強式兩種操作模式,可配置為氧化物、氮化物及二維材料的沉積系統,亦能對 3D 結構進行均勻且順形的鍍膜。透過 ALD、PECVD 與 ICPECVD,SENTECH 提供從奈米等級到數微米厚度範圍的電漿沉積技術。

SENTECH ALD 系統可將不同的熱式與／或電漿增強式 ALD 薄膜組合為多層結構。透過最佳化的擋板設計,熱式 ALD 與 PEALD 可在同一反應腔內並行支援。

SENTECH 提供業界領先的超高速原位監測技術, 以 AL Real Time Monitor 進行逐層膜成長監控,並搭配寬光譜範圍的光譜橢圓偏振儀。

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SI PEALD

SI ALD

手套箱整合

Plasma Source

Cluster Configuration

Plasma Source