SI 500 ICP-RIE System

SENTECH SI 500 ICP-RIE 高階電漿體蝕刻系統採用低電漿能量的感應耦合電漿體 (ICP) 源，可實現低損傷蝕刻和奈米結構化。

主要特點和優點

低損傷ICP-RIE刻蝕
由於離子能量低且離子能量分佈窄，SENTECH SI 500 ICP-RIE電漿體蝕刻系統可實現低損傷蝕刻和奈米結構加工。

簡易高速刻蝕
對於高深寬比的MEMS矽元件，可採用室溫交替製程或低溫製程輕鬆實現高速電漿體刻蝕，從而獲得光滑的側壁。

SENTECH專有的電漿體源技術
SENTECH平面三螺旋天線（PTSA）電漿體源為SENTECH SI 500 ICP-RIE電漿體蝕刻系統獨有的高階電漿體製程系統特性。 PTSA電漿體源可產生均勻的電漿體，具有高離子密度和低離子能量，適用於對感測器、量子點和HEMT等裝置進行低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和優異的點火性能，可加工多種材料和結構。

動態溫度控制
電漿體刻蝕過程中基板溫度的設定和穩定性是實現高品質蝕刻的關鍵因素。採用動態溫度控制的基板電極，結合氦氣背面冷卻和基板背面溫度感測技術，可在寬溫度範圍內提供優異的製程條件。化合物半導體中的凹槽和檯面蝕刻等應用，充分展現了最佳的製程控制能力，這對於實現裝置的高性能至關重要。

SENTECH SI 500 ICP-RIE 系統代表了 ICP 加工領域在研究和工業方面的領先技術。該系統包括 ICP 電漿體源 PTSA、動態溫控基板電極、全控真空系統以及操作簡單的使用者介面。這款靈活模組化的電漿體刻蝕系統可實現多種材料的加工配置，包括但不限於 III-V 族和 II-VI 族化合物半導體（GaAs、InP、GaN、InSb）、介電材料、石英、玻璃、矽、矽化合物（SiC、SiGe）和金屬。

低損傷

20nm SiGe奈米線

奈米結構

AlGaAs/GaAs量子點

低溫蝕刻

在-100°C下用SF6/O2蝕刻矽

ICP功率

PTSA電漿體源的獨立低能量分佈

模組化

SENTECH SI 500 ICP-RIE 系統內建靈活的裝載鎖，可處理直徑從 100 毫米到 200 毫米的各種基片，以及載片基片。單晶圓真空裝載鎖確保製程條件穩定，並可輕鬆切換製程。可提供不同等級的自動化配置，從真空盒裝載到單製程腔室，再到六埠群集配置，並配備不同的蝕刻和沈積模組，實現高靈活性和高吞吐量。該系統也可作為製程模組整合到叢集配置中。SENTECH SI 500 ICP-RIE 系統採用先進的硬體和 SIA 作業系統，並採用客戶端-伺服器架構。所有組件的即時控制均採用成熟可靠的可程式邏輯控制器 (PLC)。