原子層沉積系統 (Atomic Layer Deposition Systems)

尋找最佳的原子層沉積系統,提供卓越的均勻性與保形性,即使在僅數奈米厚度下,仍可形成超薄、無針孔且無微粒的薄膜。

什麼是電漿增強原子層沉積?

電漿增強原子層沉積如何運作?

電漿增強原子層沉積(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition, PEALD)是一種薄膜沉積技術,結合了 ALD 的精準度與電漿的高反應性。當需要在較低溫度下形成超薄、高均勻性鍍層時,PEALD 是首選的電漿製程方案。

適用於敏感基板的低溫沉積

電漿活化使沉積溫度遠低於熱式 ALD(Thermal ALD),因此 PEALD 非常適合用於熱預算(thermal budget)受限的應用領域,例如軟性電子、先進封裝以及有機半導體元件。

高深寬比與複雜結構

PEALD 具備優異的階梯覆蓋(step coverage)能力與保形性,能在 3D 結構上形成均一鍍層。此特性對半導體產業中的高介電常數(high-k)介電層、擴散阻障層以及閘極氧化層而言至關重要。

歡迎參考下方我們提供的 ALD 系統產品線,或繼續往下閱讀,了解 ALD 電漿製程為何是半導體研究與製造未來發展的關鍵。

先進能源應用

在能源領域,PEALD 被廣泛應用於鋰電池、燃料電池及光伏元件的保護鍍膜,可在奈米尺度防止劣化,進而提升循環壽命、效率與耐用性。

相較於其他電漿製程的優勢

與一般電漿增強製程不同,PEALD 屬於自我限制(self-limiting)反應,可在原子尺度精準控制厚度與成分。電漿活化同時也擴展了可選用的材料範圍,能製備出高品質的氧化物、氮化物以及具特殊功能性的薄膜,並具備優異的緻密度與純度。

SENTECH ICPEALD、PEALD 與 ALD 系統

SENTECH 的 ALD 系統專為因應研究與量產中最嚴苛的應用挑戰而設計。透過電感耦合電漿增強 ALD(ICPEALD)技術,SENTECH SI PEALD 能實現高反應性、低損傷的電漿製程,非常適合應用於先進半導體與敏感基板。SENTECH SILAYO PEALD 系統則在較低製程溫度下提供卓越的保形性與材料相容彈性,是電子與能源元件應用領域的首選方案。在熱式 ALD 方面,SENTECH 提供精準且可擴充的平台,可沉積超薄、無針孔且具備優異均勻性的薄膜。無論您需要的是原子尺度的精準控制、電漿增強反應性,或是低溫沉積,這些技術都能充分滿足需求。

SENTECH 提供的 ALD 解決方案,能可靠地滿足您在鍍膜、製程整合與效能上的各項需求。歡迎進一步探索我們的產品系列。