功率元件應用
功率元件應用與射頻（RF）元件技術，正逐漸成為功率轉換器與系統產業、整合型元件以及 5G 導入的未來主流。這類元件的優勢在於能依負載需求，以高效率與卓越可靠度，精準控制由電源端傳輸至負載端的電能。由於適用於儲能、電源供應器、再生能源、車用與電動載具、行動科技等業務領域，其需求正持續成長。
產業領域：
儲能 電源供應器 再生能源 車用與電動載具 行動科技
SENTECH 的低損傷電漿製程能力，為高難度的 SiC 基元件、用於 HEMT 元件的 AlGaN/GaN，以及作為閘極材料的高介電常數（High-K）介電層，提供領先業界的解決方案，並廣泛適用於功率電子與高頻射頻元件的眾多應用。
我們的電漿製程系統支援高蝕刻選擇比，並可降低蝕刻副產物在基板表面與側壁上的低揮發性殘留，以及非預期的微遮蔽（micro-masking）現象。
使用 SENTECH SI 500 ICP-RIE 系統蝕刻鋁（Al）奈米結構
本應用報告展示如何以 SENTECH SI 500 ICP-RIE 系統開發並執行製程，成功蝕刻鋁（Al）奈米結構。此製程在半導體領域中至關重要，可推動現代元件在效能、可靠度與微縮化上的進展。鋁奈米結構具備優異的導電與導熱能力，適用於多種應用，從強化多層結構中的阻障層，到改善高速元件中的低電阻傳導路徑皆是。鋁在金氧半場效電晶體（MOSFET）、應用於 LCD 與 OLED 的薄膜電晶體（TFT）以及電容器中扮演的關鍵角色，充分展現其在現代電子中的多樣性。鋁奈米結構將形塑積體電路與功率電子的未來，鞏固其作為尖端半導體技術基石的地位。在本應用報告中，我們將展示 SENTECH SI 500 ICP-RIE 電漿蝕刻系統如何成功蝕刻鋁層，並獲得良好的蝕刻輪廓、優異的光罩選擇比，以及在鋁層上良好的蝕刻終止（etch stop）表現。
使用 SENTECH SI 500 D 系統進行碳化矽薄膜 ICPECVD 沉積
非晶碳化矽（a-SiC:H）薄膜廣泛應用於太陽能電池，以及高溫應用感測器的鈍化層。此外，由於碳化矽（SiC）具備良好的機械性質與耐化學性，也廣泛作為抗磨耗與抗化學腐蝕的保護層，例如用於 MEMS 應用。本應用報告展示如何以 SENTECH SI 500 D ICPECVD 系統成功沉積 a-SiC:H 薄膜。實驗流程包含在矽晶圓上以 ICPECVD 於不同製程條件下沉積厚度約 200–600 nm 的 a-SiC:H 薄膜；並透過橢圓偏光量測薄膜光學特性、以及量測薄膜應力進行特性分析。結果顯示，SI 500 D 系統搭配 SiH₄/CH₄ 為基礎的製程，可為 a-SiC:H 薄膜帶來優異的沉積特性。
使用 SENTECH SI PEALD 系統於低溫下進行 SiO₂ 高保形性溝槽填充
本應用報告展示 SENTECH SI PEALD 系統如何成功執行低損傷、低溫且高保形性的二氧化矽（SiO₂）溝槽填充沉積製程。SiO₂ 的電漿增強原子層沉積（PEALD）是一項先進技術，即使在溝槽等複雜幾何結構中，仍能達成高保形性與均勻的薄膜沉積，而這類結構正需要對膜厚與覆蓋率的精準控制。
溝槽與光柵是現代半導體製造的基石，推動元件微縮、效能與可靠度的進展。以 PEALD 沉積 SiO₂ 達成保形性溝槽填充的能力，是解決半導體元件持續朝更小、更快、更高效發展所面臨挑戰的關鍵。SENTECH SI PEALD 系統在此類製程中，能提供所需的精準度與均勻性，並在低沉積溫度下確保最佳薄膜品質。
此製程方法對先進微製造與高效能半導體元件特別有助益，橫跨基礎與新興產業。應用領域包括：量子元件（精準的介面至關重要）、微機電系統（MEMS，需要穩固的介電層）、光子積體電路（PIC，需要低損耗的光學包覆層），以及功率電子（高品質的介電絕緣可提升元件可靠度）。
使用 SI 500 ICP-RIE 系統搭配 SiO₂ 硬光罩蝕刻 GaN 結構
在本應用報告中，我們將展示如何以 SENTECH SI 500 ICP-RIE 系統，搭配 SiO₂ 硬光罩，成功開發出 GaN 錐狀結構的電漿蝕刻製程。此製程開發的目標，是在維持光罩選擇比與均勻性的前提下，製作出側壁角度接近 75° 的 GaN 錐狀結構。氮化鎵（GaN）具備寬能隙、高崩潰電場、熱穩定性與高效率發光等特性，是雷射、LED、光電與功率電子元件的關鍵材料。先進 GaN 基元件的製造，往往需要高度受控的電漿蝕刻製程，才能產出結構明確、側壁角度陡峭且光罩選擇比高的圖形。採用氯（Cl）系化學的電感耦合電漿反應離子蝕刻（ICP-RIE），因具備高蝕刻速率與非等向性輪廓的能力，廣泛用於 GaN 的圖形轉移。